Решено Решающее значение® Технология памяти DDR4

Решающее значение® Технология памяти DDR4

Обрабатывать данные быстрее. Снизить энергетические затраты. Продлить срок службы батареи. Двойная система объема памяти. Решающее значение DDR4 технология памяти в два раза быстрее и обеспечивает на 50% более высокую пропускную способность и на 40% меньше энергии чем DDR3 технология. Предназначен для включения следующего поколения корпоративных и потребительских товаров, решающее значение DDR4 памяти работа с процессорами нового поколения работа на компьютере или сервере быстрее и эффективнее, чем когда-либо прежде.

Серверы
Серверы ограничены в пропускной способности памяти, при постоянно растущих затрат на электроэнергию. С увеличением производительности и эффективности DDR4 памяти сервера, повысит его пропускную способность до 50%, а также снизит энергопотребление и необходимость охлаждения. Сверхбыстрая обработка данных.
Игровых систем
Геймеры всегда ищут сверхбыструю производительность. Crucial® Ballistix® DDR4 память уберёт ограничения производительности памяти и повысит скорость отклика и частоты кадров для улучшения игрового режима. Достичь более высоких скоростей и более низкую латентность, чем стандартные модули DDR3, и отодвинет границы со стилизованными теплопереходами.
Ультрабуки, ноутбуки, планшеты
У мобильных устройств есть один серьёзный недостаток ограниченный срок службы батареи и максимальный объем памяти, который может быть установлен. DDR4 разработана чтобы устранить эти недостатки, решающее значение памяти DDR4 является меньшее потребление энергии и высокая производительность в каждом модуле, позволяющий продлить срок службы аккумулятора и сделать быстрый запуск приложений.
Настольные компьютеры и рабочие станции
Домашние компьютеры и рабочие станций достигли ограничения по производительности в памяти DDR3, и нуждаются в повышение скорости, пропускной способности и емкости. Важным моментом DDR4 памяти является, двойной режим, две планки оперативной памяти одинаковым объемом, увеличивают пропускную способность до 50%

SK Hynix разрабатывает 128 ГБ модули DDR4
Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.

Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу..
Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.

Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.